GIGABYTE Z590 AORUS TACHYON phá kỷ lục ép xung với 11900K

GIGABYTE Z590 AORUS TACHYON

phá kỷ lục ép xung với 11900K

Đạt kỷ lục ép xung thế giới với xung nhịp 7,31 GHz và Super Pi với 11900K  

 

1/4/2021 - Đài Bắc, Đài Loan – Công ty TNHH Công nghệ Gigabyte - nhà sản xuất bo mạch chủ, card đồ họa và giải pháp phần cứng hàng đầu thế giới, đã trình làng bo mạch chủ Z590 AORUS TACHYON với bộ xử lý Intel^® Core™ i9 11900K thế hệ thứ 11 mới nhất và bộ tản nhiệt bằng nitơ lỏng LN2 lập kỷ lục ép xung hàng đầu thế giới với xung nhịp 7314MHz, cũng như phá kỷ lục thế giới của Super Pi 1M và Super Pi 32M. Bo mạch chủ GIGABYTE Z590 AORUS TACHYON được trang bị nhiều chức năng được thiết kế cho các tay ép xung hạng nặng, hứa hẹn mang lại xung nhịp cao hơn với thao tác dễ dàng hơn, khẳng định vai trò hàng đầu của GIGABYTE trong việc ép xung trên bo mạch chủ Z590.

 

“Jackson Hsu, Giám đốc Bộ phận Phát triển Sản phẩm Giải pháp Kênh GIGABYTE cho hay: “Với sự hỗ trợ của đội ngũ quản lý và thiết kế kỹ thuật, nhóm nghiên cứu và phát triển sản phẩm của GIGABYTE có thể biến những ý tưởng “điên rồ” thành sản phẩm mà khách hàng nào cũng ao ước. Bo mạch chủ GIGABYTE Z590 AORUS TACHYON là sản phẩm ra đời từ những khái niệm sáng tạo này sau quãng thời gian dài cân nhắc. Sản phẩm là minh chứng cho năng lực tuyệt vời của nhóm nghiên cứu và phát triển sản phẩm GIGABYTE về ép xung LN2 bằng những kỷ lục thế giới mà hãng đã tạo ra. Tất nhiên, chúng tôi cũng sẽ sử dụng Z590 AORUS TACHYON để tạo ra hiệu suất ép xung tốt hơn và bản thân chúng tôi đang rất háo hức chờ đón người ép xung trên toàn thế giới sử dụng bo mạch chủ này để phá vỡ nhiều kỷ lục thế giới hơn nữa! ”

 

GIGABYTE Z590 AORUS TACHYON được thiết kế bởi chính các cao thủ ép xung để phá kỷ lục thế giới. Dựa trên độ bền và ổn định theo tiêu chuẩn của GIGABYTE, nhóm nghiên cứu & phát triển sản phẩm của GIGABYTE đã dành nhiều nguồn lực để làm cho bo mạch chủ này phù hợp hơn với nhu cầu của người dùng. Z590 AORUS TACHYON sử dụng nguồn 12+1 pha trực tiếp, mỗi pha có thể chứa tới 100 ampe với thiết kế power stages DrMOS để cung cấp khả năng kiểm soát điện năng toàn diện. Khu vực VRM bố cục hàng loạt tụ điện tantali, cho phép nhiệt độ tổng thể thấp hơn và ép xung ổn định hơn. Hơn nữa, giải pháp Reactive Armor mới nhất sử dụng tản nhiệt kim loại một mảnh tích hợp để cung cấp phạm vi tản nhiệt lớn hơn của MOSFET, đồng thời nhiều lá tản nhiệt mỏng và bề mặt có rãnh cung cấp diện tích tản nhiệt lớn hơn 2 lần so với thiết kế truyền thống, cải thiện đáng kể sự đối lưu và dẫn nhiệt bằng cách cho phép nhiều luồng không khí hơn đi qua bộ tản nhiệt.

 

Hơn nữa, lớp PCB 2 Oz của vùng CPU và định tuyến bộ nhớ 2DIMM Daisy Chain độc quyền với thiết kế chống nhiễu giúp người dùng linh hoạt hơn về cấu hình và hiệu suất bộ nhớ. Các mạch bộ nhớ tích hợp bên trong các lớp nền PCB và lớp kim loại bên ngoài của PCB giúp giảm nhiễu điện từ để người dùng có thể tận hưởng hiệu suất RAM ép xung tốc độ cao, ổn định hơn. Bộ công cụ ép xung độc quyền bao gồm các nút ép xung mạnh mẽ và các tính năng phát hiện cho phép người ép xung vượt qua các giới hạn một cách dễ dàng.

 

Bên cạnh những thiết kế độc quyền trên, bo mạch chủ Z590 AORUS TACHYON được trang bị tất cả các tính năng nổi bật của GIGABYTE và cấu hình nâng cao Intel^® 2.5Gb Ethernet, WIFI 6E 802.11ax, giao diện USB 3.2 Gen2x2 TYPE-C^® và giao diện mở rộng PCIe 4.0. Đồng thời, giao diện BIOS được cải tiến với công nghệ Smart Fan 6 hiển thị các thông tin chính như tốc độ đồng hồ, bộ nhớ, thiết bị lưu trữ, trạng thái/ cài đặt quạt, kiểm soát nhiệt độ và các thông tin phần cứng quan trọng khác theo cách trực quan và thân thiện hơn với người dùng. Việc bổ sung QFLASH giúp người dùng cập nhật BIOS hệ thống dễ dàng hơn nhiều bằng flash USB mà không cần cài đặt bộ xử lý, bộ nhớ và VGA.

 

Để biết thêm thông tin về Z590 AORUS TACHYON và hiệu suất ép xung, vui lòng tham khảo trang web chính thức của GIGABYTE: https://www.gigabyte.com/tw/Motherboard/Z590-AORUS-TACHYON-rev-10/sp#sp